作为nadn闪存技术的发明者，凯侠（原来的东芝存储）在新一代闪存研发上再次甩开对手，率先推出了twin bics flash闪存技术，有望成为plc闪存的最佳搭档。
随着3d闪存以及tlc、qlc闪存的普及，大容量ssd硬盘已经成为被桌面、笔记本及数据中心市场广为接受。为了进一步提高ssd容量、降低成本，闪存厂商开始推100+层堆栈的3d闪存，但是层数越多，制造难度也会增加，而且还要在每个单元内容纳更多的存储电位，挑战很大。
凯侠推出的twin bics闪存是全球首个3d半圆形分裂浮栅极闪存单元，从这个比较拗口的专业名词中可以看出它使用的技术主要有半圆形、分裂、浮栅极，简单来说就是将传统的浮栅极分裂为两个对称的半圆形栅极，利用曲率效应提高闪存p/e编程/擦除过程中的性能。
twin bics闪存的p/e操作性能对比
虽然新型闪存中也有bics的字样，但是现在的bics闪存是基于ctp电荷捕捉原理的，在进入3d闪存时代之后，几乎所有闪存厂商都转向了制造更简单的ctp技术而放弃了fg浮栅极技术，最后坚持的两家厂商中——美光在96层闪存之后也会放弃浮栅极技术，只有intel还在坚持fg浮栅极技术，后者性能、可靠性更好，但是制造工艺复杂。
东芝的twin bics闪存技术现在又回到了浮栅极技术路线上来了，未来有可能改变全球闪存技术的走向。
对于twin bics闪存技术来说，优点还有一个，那就是分裂浮栅极减少了物理尺寸，使得使得同样的单元里可以容纳更多的电位——直白点说就是，twin bics闪存也给qlc之后的plc闪存铺平了道路。
作者：宪瑞编辑：宪瑞来源：快科技

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