该频率特指晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。表示为mhz或khz。
2、调整频差
标称频率在一定温度（一般是25±2℃）时工作频率相对于标称的频率所允许的偏差，表示为百分数（%）或百万分之几（ppm）。
3、频率稳定性
稳定性是指标称频率在一定温度范围内的允许偏差，规定在25℃下，此项偏差为0，以标称频率的百分数（%）或百万分之几（ppm）来表示。如前所述，这个参数与石英晶片的切角密切相关。
4、工作温度范围
石英晶体元器件在规定的误差内工作的温度范围。
5、温度频差
在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25℃±2℃）时工作频率的允许偏差。
6、储存温度
晶体在非工作状态下保持标准特性的温度范围。
7、激励功率（drive level ）
晶体工作时所消耗功率的表征值。
功率是大多数功率器件在保证正常电气参数的情况下，维持工作所消耗的功率，单位为mw或uw。一般情况激励功率应维持在确保石英晶体正常起振和稳定振荡所需要的值，以避免年老化特性不良和晶体损伤。
8、负载电容（cl）
与晶体一起决定负载谐振频率的有效外界电容。任何外部电容一旦与石英晶体串联，即会成为其谐振频率的一个决定因素。负载电容变化时，频率也会随之改变。因此，在电路中使用时，经常会以标准负载电容来微调频率至期望值。
9、静态电容（c0）
等效电路中与串联臂并接的电容,也叫电容,通常用c0表示。
10、等效串联电阻（rr）
晶体在谐振频率下的电阻值，单位为欧姆（ω）。
11、绝缘电阻(ω欧姆1欧=1k欧)
引线之间或引线和壳体之间的电阻。
12、dld2
在特定的功率范围内所测量到的与最小阻抗的偏差量。
13、rld2
在的变化功率范围内测量到的阻抗。
14、老化率
工作频率在特定时间范围内的变化量，一般表达为值，单位是每年频率变化量的百万分之几（ppm/年）。频率随时间而变化的原因有很多，如：密封性和完整性、制造工艺、材料类型、工作温度和频率。
15、电源和负载
晶体振荡器的频率稳定性亦受到振荡器电源电压变动以及振荡器负载变动的影响。一般考虑为+/-5%或+/-10%。
16、输出波形
晶体振荡器有cmos、ttl、cmos/ttl兼容、pecl和正弦波输出。
17、起动时间
晶体振器从起动到稳定输出的时间，用ms表示。
18、上升时间/下降时间
波形前沿/后沿在两规定电平之间变化的时间间隔，两个电平可以是vol和voi两个逻辑电平或是其幅度的10%和90%（vht-vlo）
vol——低电平输出电压；
voh——高电平输出电压；
vhi——脉冲波形的高电平电压；
vlo——脉冲波形的低电平电压。
19、对称性（占空比）
输出电压达到规定电平之上用的时间t1与输出电压达到该规定电平以下用的时间t2之比，用占信号整个周期的百分数表示。规定电平可以是vol和voh之间的算术平均值或幅度峰—峰值的50%。比值表示为：duty=t1/(t1+t2)。
20、抖动
抖动与相位噪声相关，但是它在时域下测量。抖动是对信号时域变化的测量结果，它从本质上描述了信号周期距离其理想值偏离了多少。以微微秒(ps)表示的抖动可用有效值或峰—峰值测出。